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Acacia 2018財年中期經營情況數據摘要

發布時間:2018-09-16瀏覽次數:192

2018年8月3日,科技部發布《關于國家重點研發計劃“智能機器人”等重點專項2018年度項目申報指南的通知》(國科發資[2018]108號),包含智能機器人、現代服務業共性關鍵技術研發及應用示范、可再生能源與氫能技術、綜合交通運輸與智能交通、網絡協同制造和智能工廠、核安全與先進核能技術、制造基礎技術與關鍵部件7個重點專項。其中,10項先進傳感器課題被列入“制造基礎技術與關鍵部件”專項中。

各個研究課題的研究內容和考核指標具體如下:

1、高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術(基礎前沿技術類)

研究內容:研究新型諧振式硅傳感器敏感原理和結構;研究傳感器非線性效應、耦合效應、溫度效應及工藝誤差影響;研究傳感器優化設計、制造工藝精確控制、低應力封裝等關鍵技術;開發閉環信號檢測與控制電路系統集成技術;研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件,并在流程工業與機器人領域試用驗證。

考核指標:壓力傳感器量程0~1MPa,精度優于0.01%FS;加速度傳感器量程±15g,零偏穩定性優于1μg;角速度傳感器量程±200ddd°/s,零偏穩定性優于0.1ddd°/h。

2、基于量子效應的微納傳感器前沿技術(基礎前沿技術類)

研究內容:研究基于量子效應的芯片式角速度傳感器、磁場傳感器設計方法;研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機理、溫度效應;研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關鍵技術;開發激光器、探測器、處理電路系統集成技術;研制高精度角速度傳感器、磁場傳感器原型器件,并在重大技術裝備中試用驗證。

考核指標:角速度傳感器表頭體積≤100cm3,量程±200ddd°/s,零偏穩定性優于0.1ddd°/h;磁場傳感器表頭體積≤10cm3,靈敏度優于10fT/Hz1/2。

3、無線無源微納傳感器前沿技術(基礎前沿技術類)

研究內容:研究微型化聲表面波(SAW)、電感-電容(LC)無線傳感器設計;研究傳感器多參數敏感的耦合效應;研究傳感器結構優化設計、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業環境無線信號傳輸等關鍵技術;開發信號調制解調技術及處理電路系統集成技術;研制SAW和LC多參數檢測傳感器原型器件,并在燃氣輪機主軸、軸承健康狀況監測中試用驗證

考核指標:SAW傳感器:溫度量程-40℃~+1000℃,誤差±1%;應變量程±3000με,誤差±1%;氣壓量程0~4MPa,誤差±1%。LC傳感器:溫度量程-20℃~+120℃,誤差±1%;應變量程±1000με,誤差±1%;振動量程±6g,誤差±1%。

4、微納傳感器與電路協同設計技術及設計工具(共性關鍵技術類)

研究內容:建立熱/機械/電學多物理場耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環控制傳感器宏模型;研究具有完全自主知識產權、包含器件級、工藝級、系統級設計功能的微納傳感器綜合設計工具;研究微納傳感器與電路協同設計技術,并實現與集成電路(LC)設計工具的無縫連接;形成集成傳感器知識產權(IP),IP經過生產線驗證。

考核指標:器件級耦合分析自由度≥1*107;工藝級仿真與實驗偏差優于5%;系統級仿真與實驗偏差優于10%;閉環控制集成傳感器IP不少于3種,軟件銷售≥10套。

5、微納傳感器與電路單片集成工藝技術及平臺(共性關鍵技術類)

研究內容:研究在同一芯片上制造微納傳感器與IC的工藝技術;以互補-金屬-氧化物-硅(CMOS)工藝線為基礎,研究與CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關鍵技術;建立可量產的微納傳感器與電路單片集成制造技術并形成標準制程規范,實現單片集成微納傳感器規模化生產。

考核指標:圓片直徑≥150mm,單片集成傳感器成品率≥80%,成套制程規范或標準≥3項;服務用戶數≥3家,開發單片集成傳感器不少于3種,生產能力≥5000片/年,銷售單片集成傳感器≥100萬只。

6、圓片級真空封裝及其測試技術于平臺(共性關鍵技術類)

研究內容:研究微機電系統(MEMS)圓片級真空封裝設計技術;研究圓片級多層布線、金屬和 絕緣薄膜平坦化技術、低溫鍵合、吸氣劑生長及激活、真空測試等關鍵技術;研究可量產的圓片級真空封裝技術并形成標準制程規范,實現多種器件規模化圓片級真空封裝。

考核指標:圓片直徑≥150mm,圓片級封裝真空度≤0.1Pa,漏率≤5.0*10-12Pa·m3/s,真空封裝成品率≥90%,真空封裝器件種類≥3種;成套標準制程規范≥3個,服務用戶數≥3個,生產能力≥5000片/年,銷售量≥1萬只。

7、高溫硅壓力傳感器關鍵技術及應用(應用示范類)

研究內容:研究高可靠性MEMS高溫硅壓力傳感器結構優化技術;研究低應力無引線封裝、溫度補償、高溫專用電路(ASIC)芯片等關鍵技術;開發測控接口電路;實現批量化生產并在重大技術裝備中應用。

考核指標:溫度范圍-55℃~+225℃,量程0~200kPa、0~60MPa,精度優于0.25%FS,零點漂移優于2%FS@100℃,長期穩定性優于0.1%FS/年,固頻率≥200kHz,過載壓力≥2倍額定壓力;形成傳感器芯片制造、封裝到應用的產業化鏈,生產能力≥5000套/年,銷售量≥1000套。

8、單片集成多軸傳感器關鍵技術及應用(應用示范類)

研究內容:研究單芯片集成多軸傳感器可復用的模塊化設計技術;研究傳感器單面微機械加工工藝、芯片內薄膜真空封裝等關鍵技術;開發多軸傳感器信號處理、融合與測試技術;形成單芯片集成多軸傳感器制程規范,實現批量化生產并在大型起重輸運裝備、電梯生產線等行業應用。

考核指標:晶圓直徑≥150mm,成品率≥90%;單片三軸磁場傳感器分辨率優于50nT,單片三軸加速度傳感器分辨率優于100μg,單片三軸角速度傳感器偏置穩定性優于1ddd°/h,單片三分量應力傳感器分辨率優于10kPa;生產能力≥5000片/年,銷售量≥100萬只。

9、無線紅外高溫微納傳感器關鍵技術及應用(應用示范類)

研究內容:研究硅基紅外傳感器設計優化、制造工藝、封裝、可靠性、測試等關鍵技術;研究工業現場環境下,高精度、非接觸、紅外高溫溫度測量技術;開發無線能量收集及信號傳輸技術;實現無線紅外高溫微納傳感器批量化生產,并在高溫熔煉爐監測中應用。

考核指標:傳感器量程600℃~1600℃,誤差±0.5%,響應時間≤20ms,生產能力≥5000套/年,銷售量≥1000套。

10、運動部件壁面溫度微納傳感器關鍵技術及應用(應用示范類)

研究內容:研究微納溫度傳感器優化設計方案;研究運動部件曲面基底上高溫絕緣層、緩沖層、溫度敏感層的原位制造和微加工技術;研究微納溫度傳感器在高溫、高速、強振等惡劣環境下的可靠性;研究傳感器標定、信號無線引出及多傳感器系統集成技術;實現微納溫度傳感器批量化生產,并在重大技術裝備中示范應用。

考核指標:傳感器量程100℃~1300℃,誤差±1.0%;響應時間≤10ms,無線傳遞距離≥2mm;抗振動1000Hz/20g,抗沖擊100g/8ms半正弦波,生產能力≥5000套/年,銷售量≥1000套。

按照指南要求,共性關鍵技術類項目及應用示范類項目均需由企業牽頭申報,所有專項實施周期為5年(2018-2022年)。

項目申報單位網上填報預申報書的受理時間為2018年8月20日8:00至9月25日17:00。

項目申報可由國務院有關部門科技主管司局、省級科技主管部門、原工業部門轉制成立的行業協會、納入科技部試點范圍并評估結果為A類的產業技術創新戰略聯盟,以及納入科技部、財政部開展的科技服務業創新發展行業試點聯盟推薦,推薦單位名單在國家科技管理信息系統公共服務平臺上公開發布。

項目具體申報要求、評審流程、申報資格要求以及申報方式,可見附件。

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